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化學機械拋光液–一站式解決方案 化學機械拋光是積體電路晶片製造過程中實現晶圓全局均勻平坦化的關鍵工藝，化學機械拋光液是化學機械拋光工藝過程中使用的主要化學材料。根據拋光對象不同，公司化學機械拋光液包括銅及銅阻擋層拋光液、介電材料拋光液、鎢拋光液、基於氧化鈰磨料的拋光液、襯底拋光液和用於新材料新工藝的拋光液等產品。目前公司銅及銅阻擋層系列化學機械拋光液，可以滿足國內晶片製造商的需求，並已在海外市場實現突破；其他系列化學機械拋光液已供應國內外多家晶片製造商，具體生產規模會根據客戶需求量進行調節。
銅及銅阻擋層化學機械拋光液
鎢化學機械拋光液
介電材料化學機械拋光液
基於二氧化鈰磨料的拋光液
襯底化學機械拋光液
用於新材料新工藝的化學機械拋光液
化學機械拋光液–一站式解決方案 化學機械拋光是積體電路晶片製造過程中實現晶圓全局均勻平坦化的關鍵工藝，化學機械拋光液是化學機械拋光工藝過程中使用的主要化學材料。根據拋光對象不同，公司化學機械拋光液包括銅及銅阻擋層拋光液、介電材料拋光液、鎢拋光液、基於氧化鈰磨料的拋光液、襯底拋光液和用於新材料新工藝的拋光液等產品。目前公司銅及銅阻擋層系列化學機械拋光液，可以滿足國內晶片製造商的需求，並已在海外市場實現突破；其他系列化學機械拋光液已供應國內外多家晶片製造商，具體生產規模會根據客戶需求量進行調節。
用於積體電路製造工藝中銅和銅阻擋層的去除和平坦化。產品已在邏輯晶片等上量產使用。持續研發並驗證下一步技術節點用的產品。
用於積體電路製造工藝中鎢的去除和平坦化。產品已在邏輯晶片等上量產使用。持續研發並驗證28nm以下技術節點用的產品。
用於積體電路製造工藝仲介電材料如二氧化矽、氮化矽等的去除和平坦化。
基於二氧化鈰磨料的拋光液具有高速去除二氧化矽，高選擇比，高平坦化效率等優點。用於積體電路製造工藝中淺槽隔離和其他需要高速去除二氧化矽的拋光工藝中，並且根據客戶需要開發多種新產品。
用於矽襯底及其他半導體襯底材料的拋光。包括矽粗拋液、矽精拋液、碳化矽拋光液、氮化鎵拋光液等產品系列。
基於化學機械拋光液技術和產品平臺，配合客戶制程需求，研製開發用於新技術新工藝的化學機械拋光液。包括用於三維集成工藝中TSV矽通孔拋光液和混合鍵和拋光液，聚合物和碳等新材料用拋光液。多個產品已量產供應。
二、功能性濕電子化學品－先進技術領導者 功能性濕電子化學品是指通過配方技術達到特殊功能、滿足製造中特殊工藝需求的配方類濕電子化學品。目前，公司功能性濕電子化學品主要包括刻蝕後清洗液、光刻膠剝離液、拋光後清洗液、刻蝕液和電鍍液系列產品。刻蝕後清洗液、光刻膠剝離液、拋光後清洗液已經廣泛應用於8英寸、12英寸晶圓的積體電路製造領域。
刻蝕後清洗液
1.鋁制程刻蝕後清洗液
2.銅大馬士革工藝刻蝕後清洗液
3.硬掩模銅大馬士革工藝刻蝕後清洗液
光刻膠剝離液
拋光清洗液
1.銅化學機械拋光後的清洗
2.鎢化學機械拋光後的清洗
3.鋁化學機械拋光後的清洗液
4.氮化矽化學機械拋光後的清洗
5.用於新材料化學機械拋光後的清洗
6.拋光墊清洗液
刻蝕液
電鍍液
二、功能性濕電子化學品－先進技術領導者 功能性濕電子化學品是指通過配方技術達到特殊功能、滿足製造中特殊工藝需求的配方類濕電子化學品。目前，公司功能性濕電子化學品主要包括刻蝕後清洗液、光刻膠剝離液、拋光後清洗液、刻蝕液和電鍍液系列產品。刻蝕後清洗液、光刻膠剝離液、拋光後清洗液已經廣泛應用於8英寸、12英寸晶圓的積體電路製造領域。
刻蝕後清洗液應用於幹法刻蝕後殘留物去除，包含鋁制程刻蝕後清洗液、銅大馬士革工藝刻蝕後清洗液、硬掩模銅大馬士革工藝刻蝕後清洗液等。
憑藉羥胺供應商供應安全解決方案，提供半水性鋁制程刻蝕後清洗液及胺基鋁制程刻蝕後清洗液。
產品應用於積體電路鋁制程工藝金屬線、通孔及金屬焊盤（pad）蝕刻殘留物去除，提供優異的蝕刻殘留物去除能力、低成本。產品已在8英寸及12英寸邏輯晶片、存儲晶片等領域量產。
應用於積體電路銅互連大馬士革工藝蝕刻殘留物去除。產品具有優異的蝕刻殘留物去除能力、低缺陷、低成本。
應用於積體電路硬掩模銅互連大馬士革工藝蝕刻殘留物去除。產品提供高氮化鈦硬掩模去除能力、優異的蝕刻殘留物去除能力、低缺陷、低成本。產品已經在28nm邏輯晶片量產，並在28nm及以下技術節點持續驗證。
應用於晶圓級封裝、MEMS等超越摩爾領域厚膜光刻膠去除。產品具有>100微米光刻膠去除能力、低成本。產品在8英寸及12英寸晶圓級封裝（金凸點、焊錫凸點、柱狀凸點）、MEMS、TSV等工藝量產。
有效去除拋光墊上的拋光副產物，延長拋光墊的使用壽命，降低拋光後晶圓表面缺陷。
有效去除銅拋光後表面顆粒和化學物殘留，防止銅表面腐蝕，降低拋光後晶圓表面缺陷。產品可適用於130-28nm的銅制程拋光後清洗。
有效去除鎢拋光後表面顆粒和化學物殘留，防止鎢表面腐蝕，降低拋光後晶圓表面缺陷。
有效去除鋁拋光後表面顆粒和化學物殘留，防止鋁表面腐蝕，降低拋光後晶圓表面缺陷。
有效去除氮化矽拋光後表面顆粒和化學物殘留，降低拋光後晶圓表面缺陷。
用於新材料拋光後的清洗，降低拋光後晶圓表面缺陷。
有效去除拋光墊上的拋光副產物，延長拋光墊的使用壽命，降低拋光後晶圓表面缺陷。
基於液體及固體表面處理技術平臺，配合客戶工藝需求，提供特殊工藝刻蝕液，包括高選擇比磷酸等。
基於自主研發及合作，提供積體電路大馬士革工藝及先進封裝領域的電鍍液及添加劑產品系列。