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功能性湿电子化学品——先进技术领导者 功能性湿电子化学品是指通过配方技术达到特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的配方类湿电子化学品。目前，公司功能性湿电子化学品主要包括刻蚀后清洗液、光刻胶剥离液、抛光后清洗液、刻蚀液和电镀液系列产品。刻蚀后清洗液、光刻胶剥离液、抛光后清洗液已经广泛应用于8英寸、12英寸晶圆的集成电路制造领域。
刻蚀后清洗液
1.铝制程刻蚀后清洗液
2.铜大马士革工艺刻蚀后清洗液
3.硬掩模铜大马士革工艺刻蚀后清洗液
光刻胶剥离液
抛光清洗液
1.铜化学机械抛光后的清洗
2.钨化学机械抛光后的清洗
3.铝化学机械抛光后的清洗液
4.氮化硅化学机械抛光后的清洗
5.用于新材料化学机械抛光后的清洗
6.抛光垫清洗液
刻蚀液
电镀液
功能性湿电子化学品——先进技术领导者 功能性湿电子化学品是指通过配方技术达到特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的配方类湿电子化学品。目前，公司功能性湿电子化学品主要包括刻蚀后清洗液、光刻胶剥离液、抛光后清洗液、刻蚀液和电镀液系列产品。刻蚀后清洗液、光刻胶剥离液、抛光后清洗液已经广泛应用于8英寸、12英寸晶圆的集成电路制造领域。
凭借羟胺供应商供应安全解决方案，提供半水性铝制程刻蚀后清洗液及胺基铝制程刻蚀后清洗液。
产品应用于集成电路铝制程工艺金属线、通孔及金属焊盘（pad）蚀刻残留物去除，提供优异的蚀刻残留物去除能力、低成本。产品已在8英寸及12英寸逻辑芯片、存储芯片等领域量产。
应用于集成电路铜互连大马士革工艺蚀刻残留物去除。产品具有优异的蚀刻残留物去除能力、低缺陷、低成本。
应用于集成电路硬掩模铜互连大马士革工艺蚀刻残留物去除。产品提供高氮化钛硬掩模去除能力、优异的蚀刻残留物去除能力、低缺陷、低成本。产品已经在28nm逻辑芯片量产，并在28nm及以下技术节点持续验证。
用于集成电路制造工艺中铜和铜阻挡层的去除和平坦化。产品已在逻辑芯片等上量产使用。持续研发并验证下一步技术节点用的产品。
应用于晶圆级封装、MEMS等超越摩尔领域厚膜光刻胶去除。产品具有>100微米光刻胶去除能力、低成本。产品在8英寸及12英寸晶圆级封装（金凸点、焊锡凸点、柱状凸点）、MEMS、TSV等工艺量产。
用于集成电路制造工艺中钨的去除和平坦化。产品已在逻辑芯片等上量产使用。持续研发并验证28nm以下技术节点用的产品。
有效去除铜抛光后表面颗粒和化学物残留，防止铜表面腐蚀，降低抛光后晶圆表面缺陷。产品可适用于130-28nm的铜制程抛光后清洗。
有效去除钨抛光后表面颗粒和化学物残留，防止钨表面腐蚀，降低抛光后晶圆表面缺陷。
有效去除铝抛光后表面颗粒和化学物残留，防止铝表面腐蚀，降低抛光后晶圆表面缺陷。
有效去除氮化硅抛光后表面颗粒和化学物残留，降低抛光后晶圆表面缺陷。
用于新材料抛光后的清洗，降低抛光后晶圆表面缺陷。
有效去除抛光垫上的抛光副产物，延长抛光垫的使用寿命，降低抛光后晶圆表面缺陷。
用于集成电路制造工艺中介电材料如二氧化硅、氮化硅等的去除和平坦化。
基于液体及固体表面处理技术平台，配合客户工艺需求，提供特殊工艺刻蚀液，包括高选择比磷酸等。
基于二氧化铈磨料的抛光液具有高速去除二氧化硅，高选择比，高平坦化效率等优点。用于集成电路制造工艺中浅槽隔离和其他需要高速去除二氧化硅的抛光工艺中，并且根据客户需要开发多种新产品。
基于自主研发及合作，提供集成电路大马士革工艺及先进封装领域的电镀液及添加剂产品系列。
用于硅衬底及其他半导体衬底材料的抛光。包括硅粗抛液、硅精抛液、碳化硅抛光液、氮化镓抛光液等产品系列。
基于化学机械抛光液技术和产品平台，配合客户制程需求，研制开发用于新技术新工艺的化学机械抛光液。包括用于三维集成工艺中TSV硅通孔抛光液和混合键和抛光液，聚合物和碳等新材料用抛光液。多个产品已量产供应。